防止氧化鋯陶瓷低溫老化的辦法有哪些呢？（圖）

氧化鋯陶瓷材料具有高強(qiáng)度、高斷裂性能、耐磨性等優(yōu)良的機(jī)械性能，但是它在100到400℃長(zhǎng)期使用尤其是在潮濕環(huán)境下，就會(huì)導(dǎo)致力學(xué)性能的顯著下降，那么防止氧化鋯陶瓷低溫老化的辦法有哪些呢?接下來科眾陶瓷給大家介紹一下。

1、提高轉(zhuǎn)變勢(shì)壘

t→m轉(zhuǎn)變過程中自由能的變化如下所示：

其中：Gc為化學(xué)自由能的變化;Gse為應(yīng)變自由能的變化;Gs為表面自由能的變化，要抑制t–m轉(zhuǎn)變。

氧化鋯陶瓷板

就得提高轉(zhuǎn)變勢(shì)壘Gt-m，通過加入氧化釔、氧化鈰等可以提高Gc，增加基體的彈性模量可以提高Gse，降低晶粒大小可以提高Gs。

Xiong等制備出平均晶粒尺寸約為50nm的3Y-TZP，時(shí)效處理之后，發(fā)現(xiàn)不存在顯著的低溫劣化。

Fabbri等發(fā)現(xiàn)氧化鋯增強(qiáng)氧化鋁復(fù)合物中氧化鋁的存在提高了t→m轉(zhuǎn)變的閾值，使材料具有杰出的抗老化能力。

氧化鋯陶瓷切刀

2、氧空位

為抑制LTD的發(fā)生，可以降低晶粒大小或增加氧化釔的含量，但這2種方法都會(huì)降低氧化鋯的斷裂韌性。

因此研究人員開始采用摻雜的方法來抑制LTD的發(fā)生。當(dāng)摻雜三價(jià)氧化物的陽離子半徑(Men+)大于或小于鋯離子時(shí)，在偏析驅(qū)動(dòng)力作用下?lián)诫s陽離子會(huì)在晶界處偏析。

摻雜后為保持電荷平衡會(huì)在晶界處產(chǎn)生氧空位，偏析的陽離子(Me’Zr)與氧空位(V?)相結(jié)合，從而打斷了由于OH–擴(kuò)散造成的氧空位的耗散，抑制LTD。

以上就是科眾陶瓷為大家?guī)淼姆乐寡趸喬沾傻蜏乩匣霓k法，科眾陶瓷是一家專注生產(chǎn)加工陶瓷的廠家，專注氧化鋁陶瓷件、氧化鋯陶瓷加工，可以根據(jù)您的需求來加工陶瓷產(chǎn)品。